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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Anbon Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| 功耗（最大） | 463W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 15mA |
| 供应商设备包 | TO-247-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 20V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 195 nC @ 20 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 3600 pF @ 1000 V |
