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DMTH10H4M5LPSW
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
-
卷带式 (TR)
2500
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1

$2.1840

$2.1840

10

$1.8144

$18.1440

100

$1.4448

$144.4800

500

$1.2208

$610.4000

1000

$1.0304

$1,030.4000

2500

$0.9184

$2,296.0000

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DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
单 FET、MOSFET
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
-
卷带式 (TR)
2500
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
功耗(最大)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包PowerDI5060-8 (Type UX)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs80 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4843 pF @ 50 V
captcha

+86-13723477211

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