• image of 单 FET、MOSFET>EPC2212
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC2212
EPC2212
EPC
GANFET N-CH 100V 18A DIE
-
卷带式 (TR)
2500
:
:

1

$2.2288

$2.2288

10

$1.8816

$18.8160

100

$1.5120

$151.2000

500

$1.4896

$744.8000

2500

$1.4896

$3,724.0000

image of 单 FET、MOSFET>EPC2212
image of 单 FET、MOSFET>EPC2212
EPC2212
EPC2212
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 100V 18A DIE
-
卷带式 (TR)
153697
1
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds407 pF @ 50 V
captcha

+86-13723477211

点击这里给我发消息
0