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HN1B04FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
-
卷带式 (TR)
4000
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1

$0.4928

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10

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2000

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HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
双极晶体管阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
-
卷带式 (TR)
2353
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-563, SOT-666
安装类型Surface Mount
晶体管类型1 NPN, 1 PNP
工作温度150°C (TJ)
功率 - 最大100mW
集电极电流 (Ic)(最大)150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce200 @ 2mA, 6V
频率-转变80MHz
供应商设备包ES6
年级Automotive
资质AEC-Q101
captcha

+86-13723477211

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