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MMBT3904
200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
-
卷带式 (TR)
3000
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1

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image of 单双极晶体管>MMBT3904
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MMBT3904
MMBT3904
单双极晶体管
Anbon Semiconductor
200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
-
卷带式 (TR)
223595
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大)50nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce100 @ 10mA, 1V
频率-转变250MHz
供应商设备包SOT-23
集电极电流 (Ic)(最大)200 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)40 V
功率 - 最大300 mW
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+86-13723477211

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