• image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF
-
托盘
288
:
:

1

$21.3808

$21.3808

10

$19.6448

$196.4480

25

$18.8384

$470.9600

80

$15.7808

$1,262.4640

288

$14.7616

$4,251.3408

576

$13.7424

$7,915.6224

image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF
-
托盘
0
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C200A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds14000pF @ 40V
Rds On(最大)@Id、Vgs0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs195nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包APM12-CBA
年级Automotive
资质AEC-Q100
captcha

+86-13723477211

点击这里给我发消息
0