• image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4QS-TR
  • image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
-
卷带式 (TR)
2000
:
:

1

$9.6432

$9.6432

10

$8.2656

$82.6560

100

$6.8880

$688.8000

500

$6.0704

$3,035.2000

1000

$5.4656

$5,465.6000

2000

$5.1184

$10,236.8000

image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4QS-TR
image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 29 A GAN FET
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V
captcha

+86-13723477211

点击这里给我发消息
0